2009 kan mycket väl bli år då DDR3-minne blir en produkt för massmarknaden på allvar. Samtliga stora tillverkare har nyligen gått över till 50 nm-tillverkning, vilket förväntas pressa priserna de närmaste månaderna.
För ett par dagar sedan rapporterade Samsung att de tillverkat en DDR3-krets på 1 Gbit i 40 nanometer. Massproduktion börjar det fjärde kvartalet, och vid denna tidpunkt förväntas priserna falla ytterligare.
Nu rapporterar Hynix att företaget kommer med egna 1 Gb-kretsar i 40 nanometer tidigare än så. Massproduktionen börjar redan det tredje kvartalet. Att vara tidigare ute än konkurrenten Samsung ger Hynix stora fördelar, framförallt då Intel lanserar Core i5 samma kvartal.
Hynix planerar att producera minneskretsar i 40 nanometer för DDR3-moduler, grafikkort och SSD-enheter.
Källa: Digitimes.
