Som jag ser det så är problemet TLC-celler , antagligen så läcker cellen spänning beroende på något (jag vet inte vad).
En orsak kan ju vara att cellerna ligger för nära varandra , för jag vill minnas att Intel hade vissa problem när man gick ner i storlek till 16nm.
Då kommer min oro fram lite . Hur påverkad är V-nand , alltså Samsung 850pro av detta ?
Det är visserligen MLC-celler som används , men finns det något som tyder på att där finns problem med denna disk ?
Det är kanske för tidigt att komma med några resultat om det.
850Pro är inne på andra generationen VNAND. TLC diskarna är fortfarande på första.
VNand som 850Pro använder är typ 3Xnm (närmare 40nm tom) och 840 TLC är väl 19nm vill jag minnas.
Samsung har dessutom ändrat HUR man lagrar dessa elektroner.
De jämför det med en hink vatten (elektroner) för "vanliga" NAND och ost med hål i för elektronerna VNAND.
Kort sagt, minsta lilla spricka i isoleringen (som sker när man skriver med hög spänning) så tappar vanlig NAND sin spänning.
Men sprickan i "osten" måste vara exakt vid en elektron för att den ska tappas. Och då tappas BARA den Sen eftersom isoleringen kan göras tjockare och elektronerna ligga nära kanten utan problem så tål den dessutom mer, och du behöver mindre spänning.
Detta gör att det skrivs snabbare och enklare.
Resultatet? En NAND krets som enligt Samsungs tester har klarat ÖVER 30k skrivningar i MLC läge, och fungerar än... (jämfört med ca 3k i dagens bästa)
Kort sagt... 850 Pro disken är en ny era, där flash verkligen kan ersätta hårddiskar även i den där skrivtunga operationen.