AMD tillkännager Bristol Ridge för bärbara datorer och sockel AM4

Frågan var nog varför de har deaktiverat dem förut, eftersom de aktiverat dem denna gången.

Antagligen har de inte fungerat som det var tänkt eller dragit för mycket ström så att det krävts de nya transistorerna eller något sånt t.ex.

Skickades från m.sweclockers.com

Runt +25% GPU-prestanda med optimeringar?
Var ju runt 15-20% CPU-prestanda mellan Carrizo och Kaveri vid specifika laster.

Schysst prestandautveckling till skillnad mot Intel och sina 4-8% per generation.

Bygger väll på LP (låg strömförbrukning fokuserat nand), om jag inte har fel kom det med kaveri. Nej det var snarare SHP=Super High Performance med låg strömförbrukning. Jag gissar det inte är liknande 28nm som används i grafikkort (utan någon mer energieffektiv variant).

Få se hur det fungerar med 20nm sen då (ja 14nm), hoppas på bra strömförbrukning och bra prestanda med zen (bra nog i alla fall).

Undrar om de kommer störa sig med sockeln. Så de som köper am4 kommer få köpa ett am4+ moderkort halvåret senare. Eller uppdatera bios på nyinköpta kort med en kompis processor i för att kunna använda Zen?

Jaja. Go AMD! Go!

Skickades från m.sweclockers.com

Nope, amd gick ut med atr zen skulle kunna köra på samma sockel

Socket am2 kördes den 2.8ghz cpun i. Den var beast på sin tid!

Kommer Computex direktrapporteras på något vänster? Videosändning rentav? Det är så himla mycket skojsigt på gång

@pytonOrm får man bjuda på lite mer?

Det gillar jag! För mycket sockelbyten från intels sida. Och den kostnadsmedvetne kan ha detta i åtanke. Am3 hängde ju med ett bra tag.

Skickades från m.sweclockers.com

Ja men har jag sagt något annat? Och vad har grafikkort med saken att göra? Förövrigt har de allra största effektiviseringarna gjorts efter Kaveri på samma tillverkningsprocess. Så det är till största del rena arkitekturförbättringar.

Nej, 14nm är det. Jag vet att FinFET inte leder till linjär skalning, men det är inte 20nm. Du och Yoshman gillar att försöka förminska betydelsen hos 14nm-processen. Eller för den delen försöka informera mig om detta. Som om jag någonsin sagt något annat.
Men det känns som att era siffror är från Intels beskrivning av TSMCs 16nm. Vilket för det första inte stämmer överens med siffrorna från TSMC. Och för det andra inte är samma sak som Samsungs/GloFos 14nm. Vad är källan till att Samsungs 14nm matchar 20nm i densitet? Vill gärna ha siffror från Samsung.

Medans från flera håll att det fuskas rätt mycket med nm (inte så det har 100% betydelse för kund precis). just 14nm sägs vara runt 19nm om man ska vara mer exakt, Intel är närmare 14nm i verkligheten (men dom andra två är inte långt efter).

Samsung domderar totalt SSD marknaden och Intels nya lansering av SSD:er var ju inget vidare.

Men desto mindre nand blir, desto fler problem måste lösas (som läckström och värmeutveckling).

Jo jag vet det där också.
Angående TSMC så visar officiella siffror från nVidia initialt peka på 25 miljoner transistorer per mm² på GP100. Vilket kan jämföras med 13,3 för GM100. Alltså en ökning med 86%. Vilket är vad man skulle kunna förvänta sig av en hyffsat mogen 20nm produkt med hyfsat linjär skalning. Vilket man givetvis aldrig får. Men tidigt på 28nm låg nVidia närmare 12 miljoner trannies per mm². Jämför man med det så motsvarar TSMC 16nm cirka 19nm med linjär skalning, som man - åter igen - aldrig får.

Så nog syns det att FinFET kostar på i densiteten. Men tror nog att Samsungs 14nm kan vara snäppet vassare ändå.

EDIT:
Källa: Ofiiciella siffror på GP100: https://devblogs.nvidia.com/parallelforall/inside-pascal/

Det handlar nog om att överdriva betydelsen av samma BEOL som 20 nm-processen, som är interconnect/metallagret. Processen är betydligt bättre än 20 nm även om den inte är mycket tätare. Intels "metallager" är inte heller 14 nm givetvis. Hur smått det blir beror givetvis på vad man bygger. Alternativet om man inte tillverkar hos TSMC hade kanske varit 22 nm FD-SOI eller liknande eftersom GF inte utvecklade någon egen 14/16 nm process utan slog ihop sina huvuden med Samsung (som själv tidigare licensierat processer genom Common Platform-samarbetet som har ursprung i företagen GF svalt upp). Eftersom ingen hade en riktigt stabil 20 nm-process blir det enklast att jämföra 28 och 14 med varandra snarare. Då går de också från planar till finfet i samma veva.

Bristol Ridge är nog mest för att få ut APUer och low-endprocessorer från början (sen är det ju samma processor som i de bärbara, precis som Athlon X4 845 är en bärbar Carrizo utan IGP aktiv). Kanske inte den bästa processorn, men vi får ju alla fall se lite av plattformen (chipset) innan Zen kommer tack vara detta upplägg. Bristol Ridge är bulk 28 nm, från GlobalFoundries. Förbättringarna handlar mycket om bättre cell-bibliotek och mer automatisering i designverktygen och mer syntetiserbar design. Eftersom inget annat tillverkas på den processen hos GF i princip, så går det inte direkt att jämföra med något även om grafikkorten också tillverkats på bulk 28 nm HKMG hos en annan tillverkare. På bärbara vill jag nog egentligen inte se mer Excavator.

NAND (minneskretsar) tillverkar varken Intel eller Samsung på 14 nm och tillverkas i helt separata fabs. Eller rättare sagt Samsung ska börja producera NAND på en 14 nm-process, men den processen är inte samma som 14 nm LPP/LPE som de kör i deras andra fabriker för ASIC/kontrakttillverkning eller Globalfoundries kör i NY. Intel tillverkar NAND-kretsar hos IM-Flash som de äger tillsammans med Micron och det är alltså inte Intels process som körs där. Samsung 850 Evo kör 40 nm 3D-NAND medan Intel kör 32-lager 3D-NAND eller sitt MLC HET, där de inte ens säger vad för process Intel/Micron kör för 3D-NAND och kör 20 nm för MLC-HET samt har 20 nm MLC och 16 nm MLC för ett par konsumentdiskar. Intel som varumärke på SSD-marknaden har annat område de fokuserar på skulle jag säga, vill du har OEM får du vända dig till Micron snarare. Knappast något fel på Intels SSDs till servrar eller deras SSD-kontrollers. Samtidigt används Samsungs NAND av tredje part till massor saker, vilket inte är så konstigt som världens största tillverkare av DRAM och NAND. Allt detta har inget att göra med vanlig ASIC-design/tillverkning att göra.

Jag frågade om Samsungs 14nm, jag ifrågasatte om ni tillämpade vad som sagts om TSMCs 16nm för Samsungs 14nm. Nu fick jag ju mitt svar. Tror nog att 14nm kan vara snäppet mindre än 16nm iaf.

Var väldigt svårt för dig att medge att en fördubbling av prestandan per ytenhet var rimlig inklusive arkitekturförbättringar och frekvenser. Du skulle istället för att bemöta det dumpa föreläsning på föreläsning för att försöka ge sken för tredje part att jag behövde få höra att övergången till FinFET negligerar en del av nodkrympningen. Någon slags avledande halmgubbe.

Och här är du igång igen. Jag har förklarat gång på gång att jag har koll på att övergången till FinFET försämrar skalningen. Jag har också ifrågasatt varför du ska ha dessa föreläsningar. Det är nu uppenbart att du inte har dem för mig, utan för hur andra som iakttar diskussionen ska uppfatta mig respektive dig.
Efterfrågade siffror på att Samsungs 14nm skulle vara en 20nm-process. Du försöker finta bort det hela samtidigt som du får föreläsa genom att prata om TSMCs 16nm. Du får några likes från folk som tycker du är kunnig men ingen ser att du inte bemött frågan utan bara kör en föreläsning du vet att du inte behöver dra för mig.

Förövrigt lät du rätt säker när du sa att man inte kunde tillverka lika stora kretsar på 16/14nm. Ser just nu ut som att nVidia redan massproducerar sin största krets någonsin, på just 16nm.

Carrizo hade samma 28nm som den tape-out man använde på GPU:erna. Det var en del av hur man minskade kretsarea och högre prestanda per watt.
Dock ingen koll på Bristol Ridge, misstänker det är samma tape-out typ av transistorer som GPU:er då de gjorde den förändringen i Carrizo och båda fortfarande bygger på AMDs CMT CPU:er.