Utvecklingen av lagring baserad på flashteknik har gått framåt de senaste åren, där PCI Express-anslutna enheter kombinerats med protokollet NVME för höga överföringshastigheter. När det kommer till latens har dock bland annat primärminne en klar fördel gentemot traditionella SSD-enheter, varför minnestekniker som sammanfogar de bästa egenskaperna är efterfrågade.
Nu lanserar Samsung den första enheten baserad på företagets Z-NAND-kretsar, som ska erbjuda betydligt lägre latens och högre överföringshastigheter än tidigare produkter.
Lagringsenheten har namnet SZ985 Z-SSD och är utformad som ett instickskort med kommunikation över 4 banors PCI Express. Kortet är bestyckat med minneskretsar för lagring om 800 alternativt 240 GB, samt 1,5 GB LPDDR4-minne för cachelagring.
Slumpmässiga läsningar uppges vara 750 000 IOPS, vilket är 1,7 gånger snabbare än företagets M.2-baserade enhet PM963. Slumpmässiga skrivningar hamnar istället på 170 000 IOPS. Latensen vid skrivning ska vara fem gånger lägre än för nämnda enhet och specificeras till 16 mikrosekunder.
Z-NAND ska även erbjuda längre livslängd för minnescellerna och SZ985 Z-SSD levereras med löfte om 42 petabyte skriven data under den fem år långa garantitiden. Överföringshastigheter för enheten avslöjas inte, men har tidigare uppgetts hamna på 3,2 GB/s vid både läsning och skrivning.
Enheten är utformad för att möta behoven hos industrier kring artificiell intelligens och sakernas internet (eng. Internet of Things) och huruvida varianter för konsumenter är planerade är oklart. Även detaljer gällande pris och tillgänglighet är okända, men väntas avslöjas i mitten av februari under konferensen International Solid-State Circuits Conference.
