Minnestekniken Universal Flash Storage (UFS) är en av de vanligast använda varianterna för flashbaserad lagring i bland annat telefoner, surfplattor och handhållna spelkonsoler. Nu är Samsung först ut med en produkt baserad på den nyligen introducerade versionen 4.0.
UFS 4.0 för med sig en rad förbättringar jämfört med UFS 3.1, som var den föregående versionen av standarden. Som vanligt när det kommer till lagringsminne är det prestandan som har ökat, och i det här fallet handlar det om en fördubbling per bana – från 11,6 Gbps till 23,2 Gbps.
Enligt Samsung klarar bolagets nya lagringsminne läshastigheter på upp till 4 200 MB/s samt skrivhastigheter på upp till 2 800 MB/s. De snabbaste UFS 3.1-produkterna har läshastigheter på upp till 2 900 MB/s och skrivhastigheter runt 1200 MB/s, vilket innebär att det sistnämnda lite mer än dubblar från tidigare generation.
Samsungs UFS 4.0-produkter är baserade på företagets sjunde generations V-NAND-minne i kombination med en proprietär kontollerkrets. De uppger att deras UFS 4.0-produkter har en sekventiell läshastighet som ligger på 6 MB/s per milliampere, som är ett mått på energieffektivitet, vilket är en förbättring med 46 procent jämfört med tidigare produkter.
I dagsläget finns det inga kretsar för varken telefoner eller surfplattor som kan dra nytta av UFS 4.0, men normalt brukar det inte ta mer än en generation innan stöd för nya, snabbare standarder implementeras. Enligt Samsung väntas lagringsstandarden inte bara dyka upp i nästa generations flaggskepp på telefonsidan, utan även i framtida AR- och VR-satsningar.
Samsung ska erbjuda UFS 4.0-moduler med lagringskapaciteter på upp till 1 TB. Massproduktion av de nya UFS 4.0-kretsarna är planerad att starta någon gång under årets tredje kvartal.
Har du någonsin känt dig begränsad av lagringshastigheten i din telefon?
