I samband med lanseringen av Nvidia Geforce GTX 1080 introducerades GDDR5X, en vidareutveckling av GDDR5 med högre bandbredd. Sedan en tid tillbaka arbetar branschen på den regelrätta uppföljaren GDDR6, som ska klara ännu högre hastigheter och paras ihop med nästa generations grafikkort från Nvidia och AMD.
Under förra året presenterade både Samsung och SK Hynix sina GDDR6-minnen och nu meddelar de förstnämnda att de påbörjat produktionen av GDDR6-minne i stor skala. Kretsarna baseras på Samsungs 10-nanometersteknik och har en hastighet på 18 Gbps eller 72 GB/s över en 32-bitars minnesbuss, vilket är mer än dubbelt så mycket som för bolagets GDDR5-minne.
När det kommer till minnesmängd nämns inga detaljer, men det väntas handla om minst 16 Gb (2 GB) per kapsel. Enligt Samsung spelar de nya minneskretsarna en stor roll när det kommer till lanseringen av nästa generationens grafikkort, vilket först och främst tros innefatta Nvidias Volta-arkitektur.
När produkter med GDDR6-minne hittar ut på marknaden är ännu okänt, men tidigare rapporter talar för att detta sker under första kvartalet 2018.
