AMD Ryzen 3000 "Matisse" – samlingstråd

så då måste jag byta på alla i den raden alltså alla 3 ?
Vilket blir 6st även om jag igentligen bara vill öka på c01 & c09 ?

Ja, alla kärnor inom samma CCX måsta ha samma frekvens, vilket sällan är ett problem när man CCD klockar då ena CCD'n oaktakt "guld" kärnor går högre än den andra ändå om man inte vunnit kisel jackpot & fått 2 bra binnade CCDer, jag kör alla 6 i första CCD'n i 4450 utan problem och alla 6 i andra i 4250 utan problem vid samma vcore, jag kan komma upp på 4475/4275 med mer spänning men det är inte direkt värt det. Alternativet är att klocka alla kärnor til 4250 vilket är vart det då skulle stanna vid samma vcore.

Här ser du hur man kan länka kärnornas frekvens inom samma CCX genom att klicka på det lilla röda siktet/kugghjulet så det blir en grön, uhm, mojäng? Detta är en tidigare orörd profil så skit i resten av bilden, vile bara visa hur de länkas.
https://i.imgur.com/1qnqeeE.png

Efter att ha fyllt i en frekvens på kärna 1 så kan man tabba vidare & då kommer resterande länkade ha rätt värde direkt
https://i.imgur.com/o5NAQLR.png

Okay. vilken spänning, llc etc etc kör du med? Min blir ju tvärvarm redan i 4250 allcore

I_D vs T grafen

Håller med om att X-axeln är felmärkt, intressant nog gäller det även båda de två datablad du länkar! I Sinopower fallet står det T_J medan dina två exempel listar T_C på X-axeln. T_J är uppenbart fel, linjen skulle gå helt åt motsatt håll om så var fallet.

Men även T_C är fel då det skulle vara just temperaturen på inkapslingen. Tar vi Vishays fig 9 som räkneexempel här så skulle man skära Y-axeln (d.v.s x=25) på 14,9 A, men den skärs vid 9,1 A. Orsaken är att man räknar med ett "typiskt" värde på värmeöverföringsmotståndet, ett θ_typ.

Det gäller också för Sinopower, de använder inte θ_JC (som är 3,4 °C/W) utan vad som används är ett "typiskt" värde på 6,7 °C/W. Så hur har man då nått detta "typiska" värde?

Enda rimliga förklaringen, vilket faktiskt verkar stämma hyfsat med verkligheten, är att man tagit fram ett θ_typ för fallet där kretsen är monterad på en PCB (θ_JB) samt med en kylfläns monterad (θ_KF = θ_JC + θ_CA).

Vidare beskriver den graf vi pratar om något som är rätt bekant för oss som någon gång jobbat med energibalanser. I_D är helt enkelt helt dikterad av att utvecklad energi (vilket vid höga strömmar blir R_DS(ON) * I_D²) måste vara exakt likna stort som kylkapaciteten (T_Jmax - T) * θ_typ.

Ytmonterad vs potentiellt omgiven av luft

Du skriver: "Den kretsen är fysiskt större än sinopowers mosfet ändå specar man 78 C/W jämfört med sinopowers 40 C/W som termisk resistans."

Korrekt observerat, men 78 °C/W är när kretsen är omgiven av luft, vilket för de två exempel du gav är en möjlig placering. Men det är inte en möjlig placering för Sinopower-kretsen vi diskuterar då den är ytmonterad, så dess avkylning kommer som minst var dikterad av θ_JB vilket i förlängningen medför att T_A värdena är rätt meningslösa att referera till här då de just beskriver fallet när kretsen är omgiven av luft.

Notes: 5 Device mounted on FR-4 PC board, with minimum recommended pad layout, single sided.

Vidare står just "Power Management for Desktop Computers" som primärt användningsområde för Sinopower-kretsen, vilket gör att ett "typiskt" fall kommer inkludera en kylfläns. I.e. I_D(T) grafen i databladet är fullt användbar om man inser att X-axeln faktiskt är temperaturen på kylflänsen, inte någon T_J.

Enda sättet att veta temperaturen på kylflänsen värmekamera eller annan extern sensor. Orsaken till varför T_C ofta är den mest användbara temperaturen är då moderkort som mäter VRM-temperatur kommer mäta nog som i praktiken är väldigt nära T_C (tyvärr saknas sådana sensorer på mitt moderkort).

Buildzoids analys

Finns ju en analys av moderkortet som diskuteras här där han säger att dubblering av komponenter per fas inte tillför något alls. Den postades mitten av 2017, mitten av 2018 är det uppenbart att han insett tankevurpan där och då är han helt med på att även utan "doubles" (PWM-splitters) får man fördelen med halverad värmeutveckling i det fallet (man får även fördelen att kretsarean fördubblas då det är två MOSFETs att kyla -> ökad kyleffekt allt annat lika).

Finns ett superenkelt sätt att förstå varför så är fallet: vad är primära källan till värmeutveckling? Jo: R_DS(ON) * I_D²
Vad händer om man har två parallella motstånd? Man kapar resistansen i två, så dubblar man alla komponenter i en fas så halveras resistansen genom den fasen, allt annat lika!

Däremot finns en rad andra fördelar med "riktiga" faser, dessa får man inte om man bara dubblar antalet komponenter.

Ändå fel

För den som, i det här läget mot all förmodan, fortfarande bryr sig vad kapaciteten är i ett billigt B350 (och många B450 använder samma eller snarlik lösning) så är det faktiskt inte low-side MOSFET som i slutändan är det man först slår i. Spolarna (chokes) i ASRock AB350/AB450 Pro4-serie tål max ~40 A styck, så det är en hård gräns vid 240 A.

Med PBO påslaget verkar strömmen begränsas till 180 A. Att begränsa det hela till 75 % av kapaciteten känns väl hyfsat rimligt, framförallt då utvecklad värme i MOSFETs i det läget rätt mycket nått gränsen för vad de små kylflänsarna rimligen kan hantera (det förutsätter i praktiken en CPU-kylare som blåser över VRM eller separat fläkt över VRM).

Bytte även kylpastan på stock-fläkten från smörjan som kom med till Thermal Grizzly Kryonaut. Sänkte temperaturen ett par grader, noll påverkan på prestanda vad jag sett så här långt (har bara mätt utan PBO, då PBO känns meningslöst). Så primära problemet med stock-fläkten i 3900X är nog ljudnivån, inte dess kapacitet (förutsatt att man kör utan PBO).

Du förändrar inte rdson ändå jämfört dubbla antalet faser med samma antal mosfets då temp kommer vara den samma.

Skickades från m.sweclockers.com

Nu tror jag ni pratat förbi varandra, Fattar jag rätt så menar @Yoshman att man har dubbla antalet mosfetar men samma antal faser.

Som sagt, en orörd profil i RM, detta är inte en färdig CCD profil alls så skit i resten som står då jag inte rört dom alls från profil default för manuell OC som av någon anledning står galet högt satt, det jag ville visa var bara hur du kan länka kärnor enkelt.

Detta är den profil jag i slutändan kör och jag kör rätt snäll LLC så vcore droopar till runt 1.337V någonstans under full load med AVX.

https://i.imgur.com/LsqBjvW.png

Vad det gäller temp så skiljer det praktiskt taget inget mot att köra samma vcore vid 4250 all core, detta då det kräver samma vcore vid 4250 all core, man kastar bort det headroom som den bättre binnade CCD'n har om man kör all core, det är orsaken till att man kan klocka den bättre CCD'n runt 200MHz högre vid samma vcore som tidigare all core

@Ozzed @kjellis4711: Spread spectrum löste det för mig! 3 kärnor har nått 4400 MHz och resten har passerat 4300

Har inte orkat ta tag i att pressa timings, CL16 @3600 fungerar tillräckligt bra!

Men du missar att R_ds-on ökar med temperaturen, räknar jag med 0.27 Ohm och P_max = 60W, så blir det 14.9A, men vid 175°C T_j är on-resistansen en faktor ca 2.3 ggr högre = 0.621 Ohm, se fig 4, och då blir skärningen vid 9.82A, så diagrammet är inte helt korrekt men det är så man räknar normalt.

Slog du på eller av det? Vilket moderkort har du och vad är det som löstes?

Tja, titta på den video vi diskuterar från Buildzoid igen. Notera att han i den drar slutsatsen att VRM för V_core har i princip identisk kapacitet som VRM för SoC som bara har 3 faser med en uppsättning kretsar per fas. Hur kan en 3-fas med dubbla komponenter klara 156 A om en 3-fas med endast enkel uppsättning fixar 150 A???

Jämför sedan vad samma Buildzoid hävdar ett år senare när han beskriver moderkort med samma typ av design, då har han insett sitt misstag!

Om inte det övertygar dig, förklarar annars hur ett moderkort som enligt Buildzoid endast fixar 156 A och med en VRM som redan vid 100 A utvecklar 21 W värme faktiskt fixar 170-180 A, vilket är vad mitt system drar med PBO aktiverat om man kör Octave testet) med temperatur VRM-kylflänstemperatur på ~60 °C.

Ovan går bara ihop om Buildzoids beräkning helt missar att det är 3-faser med dubbla komponenter per fas och därmed halva strömmen per MOSFET -> en fjärdedel av värmeutvecklingen (mindre än en fjärdedel i praktiken då R_DS(ON) ökar med temperatur).

Missar absolut inte det. För att få den form på kurvan som alla datablad har måste R_DS(ON) vara en konstant.

Detta är formen på kurvan om man låter R_DS(ON) variera med temperatur enligt Fig 4. i Vishay databladet
https://i.imgur.com/c2mDB5R.png
Rätt uppenbart att den kurvan har en annan form än den i databladet. Alla datablad vi länkat har ett konstant värde på θ_typ, vilket är helt förväntat då I_D(T) graferna är gjorda för T_Jmax!

Slog av det, nu går datorn i 100 MHz istället för 99,8! Förväntar mig ingen märkbar skillnad men det känns bättre. Har ett gigabyte x570 itx, har inte tänkt pressa grejerna så hårt då jag råkat elda upp mer än en del i mina dagar...

Skickades från m.sweclockers.com

Tja, på mitt Gigabyte X570 Aorus Ultra så fungerar det att slå av spread spectrum så får man 100Mhz BCLK i alla fall. Är det påslaget så blir det 99.8MHz. Så på Gigabyte så spelar det absolut roll.

Tror aldrig jag lyckades få mitt CrossHair VII att köra i annat än 99.8MHz. Testade sätta BCLK manuellt, men gjorde ingen som helst skillnad. Skall erkänna att jag inte brydde mig speciellt mycket om det dock och testade inte ovan som säkert fungerar.

OK, då har jag lärt mig ytterligare en anledning till konstig BCLK. För mig har det varit avslaget som default så utgick väl ifrån att de som hade problem hade det av andra orsaker. Men ja Spread Spectrum skall absolut vara avslaget för maximal stabilitet och prestanda. Sen är det lite skumt att den i så fall låser det till 99.8 när poängen är att den ibland skall gå under och ibland över satt frekvens för att minska EMI, fast det kanske går så snabbt att avläsningsmjukvara inte hinner registrera det.

SC? MC påverkas ju inte av max boost...

Skickades från m.sweclockers.com

"Hela poängen" med Spread Spectrum är att minska elektromagnetisk interferens/störningar, eller vad det nu kan tänkas heta på Svenska (Electromagnetic interference), som knappast någonsin är ett problem som drabbar vanliga användare. Men inverkan på stabiliteten är negativ, och det står även åtminstonne i Asus UEFI att man bör slå av dem om man överklockar, vilket dagens processorer ur EMI-synpunkt gör "hela tiden", att ha det påslaget när det sker så snabba frekvenshopp ofta som det gör kommer leda till minskad stabilitet, inte ökad.

Sen är kanske inte frekvensen i sig så mycket att bråka om, men se det från en annan vinkel. Om du fick 99.8% av din lön varje månad, men kunde fixa så att du fick 100% av din lön varje månad, genom en knapptryckning, skulle du då trycka på knappen?

Vi snackar ändå 0.2% ökad prestanda helt ansträngningsfritt, och då är det en no-brainer för mig. Jag menar att annars kan man ju köra stockkylaren, låta bli PBO, köpa billigast möjliga bräda, minnen etc etc för om man skall hårddra det så är det väldigt lite som "spelar roll" prestandamässigt.

Men det kanske beror på hurdan man är med "den där sista troppen prestanda". Jag köpte ju t.ex B-die minnen för 2500Kr till mitt X370 Prime pro när det begav sig... Som i slutändan endast kunde köras 200Mhz högre än de Vengeance LPX jag hade innan. Samma minnesmängd med, för mig värt det.

Sen har du också aspekten att det kliar i ordningssinnet och sticker i ögonen. Om BCLK är specad till 100Mhz så skall det vara 100Mhz, inte "ballpark 100Mhz", tycker jag i alla fal, och med tanke på att det är väldigt enkelt och helt riskfritt att fixa så ser jag ingen anledning att låta det fortsätta vara fwl.

Nästan rätt, det är av stabilitets orsak från just EMI som man kör spread spectrum, alltså inte att din burk ska stråla mindre utan att den ska hantera inkommande strålning bättre med mindre instabilitet av det som följd, orsakar spread spectrum instabilitet för dig så har någon gjort något väldigt fel på ditt moderkort då frekvens variationen i sig absolut inte ska orsaka instabilitet, enda gången det kanske skulle göra det är vid extrem OC som är precis på gränsen.

Skickades från m.sweclockers.com

Nu mins jag inte var jag läst det, men har sett någonstans att ju högre frekvens man kör saker i, desto känsligare blir kretsarna för avvikelser, vilket då borde bli mer och mer relevant ju högre frekvens kretsarna jobbar i, men som sagt... Har ingen källa på det så det får man ta med on skopa salt och en näve pommes.

I vilket fall som helst så skall Spread spectrum, om det är korrekt designat, göra så att frekvensen "sprids ut", dvs att det finns ett spann så att frekvensen går både över och under målfrekvensen men att snitten ändå landar vid den utsatta frekvensen, så om Spread Spectrum i det här fallet gör att frekvensen alltid landar under målfrekvensen så är det ju feldesignat.

Sedan tror jag du tolkade första delen av mitt inlägg fel. Jag menar alltså inte EMI som datorn "genererar" utan som den "utsätts för", vilket inte är ett problem för användare idag men kanske är det om man har sin dator i en indistrilokal med allsköns maskiner, spolar etc. Men har man datorn i ett hem så är det inte särskillt troligt att man skulle råka ut för sådant.

EMI Finns I varje hem och vi pratar inte små mängder, har man ett chassie med fönster i plast eller glas är moderkortet ännu mer känsligt för EMI, spread spectrum ska sprida ut kommunikationen över ett bredare frekvensband det är helt korrekt men det i sig orsakar inte instabilitet, det ökar stabilitet. Du kan dock tappa prestanda beroende på hur det är implementerat men vi prata som sagt inom felmarginal på de flesta tester.

Skickades från m.sweclockers.com