TSMC uppges inleda riskproduktion på 3 nanometer under 2021 års andra hälft

Hur många atomer i bredd är vi nere på då? Känns som att det borde plana ut snart.

Men hur långt ner kan man komma? Jag har hört att banorna och transistorerna ska börja störa varandra om de ligger för tätt. Det här var flera år sedan och om jag minns rätt skulle det börja inträffa innan 7 nm. Har man överkommit det problemet på något vis?

Jo men de är ju lite större.

Det är inte helt enkelt eftersom tillverkarna inte alltid släpper data om det, och även om de släpper data är den oftast skev till egen fördel.
Samtidigt finns dwet så många faktorer som påverkar att man inte kan kan säga rakt av vilken som är bäst.
Men wikichip har en sida om 7nm som demonstrerar densitet för samsung och tsmc brevid intels påstådda densitet för 10nm:

Källa: https://en.wikichip.org/wiki/7_nm_lithography_process
Du kan även leta upp andra nod"storlekar" på den sidan, men ofta är datan inkomplett.

Så, 91.2MTr*1.8*1.7= nånstans runt 275Miljoner transistorer per kvadratmillimeter för TSMC 3nm vs. 100M för Intel 10nm.
Nån som sett nåt estimat på Intel 7mm?

Jag tror att det börjar bli ett problem vid 2-3nm. Jag tror att den teoretiska gränsen ligger på 2-3nm så TSMC är förmodligen nära nu.

En kiselatom är 210 pm bred. Transistorerna är väl 21-24nm breda eller nåt sånt i der8auers mätning.

I vilket avseende? De är Taiwans största handelspartner.

Rip Intel, får se om Samsung har något att svara med, men de har ju inte fått ordning på 7nm ännu...

Drygt 200Mtr/mm2, drygt ett helt traditionellt nod-steg. Men dels är själva måttet ganska luddigt med stora skillnader beroende på vad man vill bygga för något, och dels är det oklart vad som faktiskt kommer att produceras av Intel, tidiga uppskattningar av deras kommande processer kan tänkas behöva justeras något för att förbättra yields och time to market.

De processtekniska uppskattningarna har Intels 7nm ungefär i paritet med TSMC 5nm.

Nästa stora steg är Gate All Around/nano-sheets/nanowires. TSMC 2nm, och enligt ryktena Samsung 3nm.
Intel har sagt att "det är i pipe-linen". Liksom övergången till Fin-FET kan man räkna med att vissa parametrar förbättras rejält, medan andra står ganska still.

Nu snackar du ju om nåt helt annat istället? Huruvida Kina vill ta över Taiwan är väl nåt annat än hur mkt makt de har över Taiwan för tillfället?

Jag tycker det är mest intressant att de verkar öka tillverkningstakten över hela linjen. Är det någon av de ännu äldre varianterna (22nm, 28nm, etc) som minskar?

Visst! Hammare och stämjärn för att dela på ölatomer!

Jag skulle precis säga något liknande, som antagligen var ganska fel.
Är inte nm hur tätt transistorerna sitter, inte hur stora transistorerna är egentligen.
Eller är det storleken på transistorerna man mäter, inte hur tätt dem sitter(sitter dem mindre tätt så kan de ändå ta upp mer kretsyta).

Lite förvirrad i det här, men jag har läst att det är skillnad på hur man räknar eller ser på/förmedlar nm beroende på tillverkare.