Intel presenterar Optane P4800X med 3D Xpoint-minne

Om den klarar väldigt många fler skrivningar än NAND utan att nötas ned (dvs har en väldigt hög TBW) så finns det en poäng, annars har jag svårt att se någon, eftersom den är prestandamässigt likvärdig en M.2-ssd (och det går ju använda en vanlig ssd som arbetsminne också, t.ex. med en swapfil).

@Alling det kan vara gammal marknadsföring som hänger kvar. Intel har i omgångar fått minska sina marknadsföringssiffror. Fortsätter de att skriva ner prestandan är den väl långsammare än nand när den väl kommer ut.

Hmm , deras tidigare siffror avsåg ju M.2 enheten,, som nu inte alls verkar komma eller?
Jag skulle vilja veta hur det blir med det, då senaste gen CPU har stöd.
Läste på Arstechnica att dom även planerar DIMM varianter in framtiden. så man undrar ju om M.2 verren har blivit inställd.

Kunde inte sagt det bättre själv alltså. Det verkade asballt i början men det blir bara sämre och sämre.

Nu är det ju lite skillnad mellan peak-prestanda och prestanda som kan upprätthållas konstant.

P3700 är extremt långsam på en hel del saker. Dens fördel är "konstant prestanda", mao under extrem last så håller den bra nivå, men då pratar vi inga 500k IOPs, utan kanske 20k i skriv.

Brödtexten som Sweclockers jämfört med är en Samsung 960, som klarar de IOPs i läsning. Intel kan inte (och troligen vill inte) jämföra mot en konsument disk från en annan tillverkare dock.

Vad som borde varit mer rimligt är en jämförelse mot Intels 750, men det blev väl inte så fina siffror då så... de tog något äldre. Dens styrka är dock i låg kö-IOPs, något som äldre kontrollers och NAND har svårare med (även om de är rätt låga idag).

Du tänker på den sabla M.2 kontakten som har typ ingen kylning och hör hemma i en laptop... Servrar har inte M.2... de kör U.2 eller PCI-E kort, och har både fläktar, kylning och allt på hög nivå.

Det är dock intressant om de kan hålla det i skrivning kontinuerligt, vilket är enormt svårt med NAND pga det måste flyttas och raderas, innan det kan skrivas igen.

De man väntar på är ju.
KLICK...... vänta på att monitorn ska vakna, så man kan se OSet.
Asso INTE vänta på att ladda det.
(du vet som på c64:an för XX år sen).

Nej, jag tänkte på PCI-E,SAS-2/3,U.2 baserade enheter som t.ex. P3700 och liknande, de flesta av dem klarar av 100-300k write IOPS i någon minut innan de sjunker ner och stabiliseras runt 20-30k (jag antar det har att göra med hur mycket yta som används som SLC samt hur GC och andra saker fungerar i SSD).

Ja, skrivtåligheten känns sämre än man hoppats på, men det kanske bara är Intel som är försiktiga eftersom det är första generationen.

Ska bli spännande att se vilka implementationer som kommer göras på Optane, som det ser ut just nu så är det mest cache-devices i storage-system.
Jag har lite svårt att se nyttan med Memory Drive Technology, enheterna är för små (375GB vs 1,5TB RAM i en normal 2-socket server) för att de ska ha någon större nytta i dagsläget, men med enheter på 2-3TB hade det varit intressant för t.ex. inmemory-databaser.

Ahh du tänker på när den blir "full". Jo, det är helt klart NANDs svaghet och detta är väl en av de få fördelarna med X-point och liknande teknik. Men detta är endast pga SLC teknik... Senast jag kollade så kör de SLC liknade teknik i detta och går du tillbaka till NANDs SLC dagar så var de helt annorlunda byggda.

Du kunde fortfarande bara radera block, men du hade mindre blocks och kunde skriva en cell med 1-bit åt gången. TRIM behövdes inte på samma sätt och det var enkelt att sköta. Och om man tittar på storleken som erbjuds... 375GB, 700GB, och kanske 1,4TB, så är det ju enormt lägre än SSDer upp till 10TB+ med MLC teknik. Faktum är att samma NAND disk i SLC läge är ju 5TB+... Så när Intel ska göra nästa med 700GB, 1,4TB och 2,8TB i MLC läge... hur kommer det påverka prestandan?

Största fördelen de har nu, är att de inte satsat på storlek, utan de tvingas köra SLC läge för att få den prestandan. Vilket också är något man får ta i aspekt. Du jämför ett eMLC NAND (som skriver långsammare för att bibehålla skrivtåligheten), med SLC X-Point.

De var inte försiktiga i sin Hype iaf... och ett problem du måste tänka på är om du tittar på SLC NAND Endurance, så pratar vi också typ 50-100k P/E på tidig gen. 20nm är mogen teknik, så Xpoint har verkligen alla fördelar.

En oro dock är... hur löser du wear-levelning? Om du skriver 10TB data till bara 10% av enheten... eftersom inte cellerna roteras runt som i NAND... så lär 90% av enheten vara frisk, men de 10% vara rejält slitna (jämfört). Detta problem finns ju inte i RAM, så ingen mjukvara finns för att ta det i aspekt heller.

Vi får väl se.
Risken är att det krävs 256-bit version eller MLC för att nå den densiteten som du önskar, och då riskerar andra nackdelar att komma fram :=/

Jag hade hoppats på högre prestanda. Tekniken marknadsfördes som betydligt snabbare än NAND men det verkar som om NAND hunnit ikapp sedan dess och den största flaskhalsen för NAND verkar vara gränssnittet.

Men tekniken är fortfarande ny så man kan ju hoppas på mer.

EDIT:

Såg nyss denna nyheten: http://www.sweclockers.com/nyhet/23540-samsung-presenterar-z-...