Missa inte Amazon Prime Deal Days!
Forum Övrigt Nyhetskommentarer Tråd Inlägg

Intel fimpar tillverkning på 20A – lejer in TSMC för Arrow Lake

1 2
Skriv svar
Permalänk
Medlem ★
●

Har inte Intel spelat det här kortet en gång tidigare? Hoppas att det går bättre för dem denna gång!

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av Dem8n:

Det är snarare strömläckage man försöker minska på genom att göra transistornerna konformade, man mäter sedan många år toppen av konan.
Genom att mimiska på strömläckaget så kan man köra högre frekvenser vid mindre strömstyrka.
Det är när basen krymper som man får högre densitet men den siffran skriver man sällan ut.

Gå till inlägget

Den här texten är obegriplig, konformade transistorer och bas som krymper?? Strömläckage och frekvens , i den utsträckning det finns en koppling så är det den motsatta till vad Du skriver.

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Inaktiv
●
Skrivet av Sir_Manfred:

Låter som en bra idé att standardisera till transistorer per kvadratmillimeter istället för mått som inte har något med verkligheten att göra. Eller per kvadratmicrometer om man vill ha mindre siffror. 👍

Gå till inlägget

Det är inte heller riktigt så enkelt, olika typer av celler har olika densitet, så man måste då även komma överens om vilken cell man ska mäta på, sen finns det väl även flera andra faktorer som avgör hur densiteten blir i praktiken (t ex brukar vanliga ARM-SoCs ha 30% högre densitet på samma nod som GPU-kretsar), och det har väl med att göra att man måste lämna en del oanvänt kisel i högpresterande kretsar. Sen t ex nu när denard scaling och moore's law (alltså den ekonomiska delen) inte längre gäller så är ju krympningen/densiteten i sig egentligen rätt ointressant, det är ju faktiskt hur kretsen presterar och hur mycket den kostar som är avgörande, och då kan det vara dumt att strirra sig blint på en siffra, visst det brukar gå lite hand i hand, men inte lika mycket som förr!

Det har dock gjorts försök (av Intel t ex) att standardisera hur man räknar densitet: https://en.wikichip.org/wiki/mtr-mm%C2%B2

Senast redigerat
Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av Sir_Manfred:

20 A är alltså 2nm.
18 A är 1,8nm.

Jag tvivlar på att Intel gått från att stampa på 10nm hur länge somhelst till att ha sprungit om AMD som ändå är nere på 4nm.
Det känns mer som att Intel godtyckligt tar en siffra ur luften. Efter att de slutade med Nanometer så går det inte att lita på dem längre. De borde redovisa vad "Intel 7", "Intel 4" och "Intel 3" egentligen representerar i Nanometer.

Gå till inlägget

Marknaden har ju godtyckligt tagit siffror ur luften i snart ett decennium så att Intel fortsätter på samma bana ser jag inte som något värt att höja ögonbrynet över.

Visa signatur

Fractal Design Meshify 2 Compact w/ Dark Tint | AMD R7 9800X3D | MSI MAG X870 Tomahawk WIFI | 64 GB Corsair DDR5 6000 MHz CL30 | Asus Prime RTX 5070 Ti OC 16GB GDDR7 | 512 GB Samsung Pro 850 SSD + 2TB WD Black + SN850 NVME PCI-E 4.0 | Corsair RM750X |

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av anon75480:

dock är det ju märkligt att man gick till ännu en enhet som repressenterar ett fysisktmått (A), istället för att bara välja något helt helt annat.

Gå till inlägget

Fast det har de ju inte gjort egentligen. Förkortningen för Ångström är 'Å', inte 'A'. 'A' är symbolen för Ampere, dvs strömstyrka.

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av Sir_Manfred:

De borde redovisa vad "Intel 7", "Intel 4" och "Intel 3" egentligen representerar i Nanometer.

Gå till inlägget

Men spelar det någon roll för konsumenten? Är man nöjd med prestandan och energiförbrukning spelar det ju ingen roll om den är tillverkad med en äldre nod

Visa signatur

Ryzen 5 7600
Rx 9070
32Gb

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Inaktiv
●
Skrivet av Erik_T:

Fast det har de ju inte gjort egentligen. Förkortningen för Ångström är 'Å', inte 'A'. 'A' är symbolen för Ampere, dvs strömstyrka.

Gå till inlägget

Går väl att disktera, men iom att dom lanserade det som ångrström-eran så är det nog iaf inte ampere som avses.

"New node naming to create consistent framework, more accurate view of process nodes for customers and the industry as Intel enters the angstrom era of semiconductors."

https://www.intel.com/content/www/us/en/newsroom/news/intel-a...

Senast redigerat
Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●

Wow..
Trodde hela grejjen var att världen inte skulle centralicera tillverkningen till Asien??
För att minska sårbarheten..

Visa signatur

42? Seven and a half million years and all you can come up with is 42?!
► FD Define R4 | Win11Pro | R7-5800X | PA 120SE | ROG STRIX B550-F GAMING | CMN32GX4M2Z4600C18 | 4070 Ti | AX750 | Asus VG27WQ | HP Z27n |► Realme GT Master |

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●

1 Å = 0,1nm/100pm

20Å = 2nm, 18Å = 1,8nm

*Ångström/nanometer/pikometer.

Visa signatur

*5800X|GB B550M Aorus Elite|32GB 16+16 Corsair LPX/Kingston(naken) 2133C15/2133C13 HynixAFR DR @3200C16|Asus RX7800XT OC|Seasonic GX750W|Thermaltake V21|Arctic II 280AIO|Samsung 980 Pro 2TB NVMe + 1+1TB 2,5" HDD RAID|Acer XV272Uz 1440p 240Hz

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●

Rimligt, EUV maskiner och annat som behövs för utveckling inom detta fält kostar många miljoner dollar styck. Att göra noder mindre än 5 nm utan EUV är möjligt men verkligen inte rekommenderat, yields kommer vara extremt dåliga (det är för övrigt detta som "Västra Taiwan" ägnar sig åt när de producerat chip med modern feature size).

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av Aka_The_Barf:

Så man kör nu men A istället för nm?

Någon kunnig får gärna förklara detta lite lätt. Har missat det totalt.

Gå till inlägget

A följt av siffror betyder antalet Ampere, Intels processorer kommer dra under trefas-matning!😏

/L

Visa signatur

Deepcool Matrexx 30 & MSI Z87-G43 Gaming!
Intel Inside Core I7 4790K med AMD Radeon R9 390!
Rubbet strömförsörjs av Corsair RM750X!

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av evil penguin:

Intel gör det iaf. Tror ingen annan hakat på.

Det är alltså Ångström det syftar på, men det handlar väl mer om att skapa "högre upplösning" i namngivningen av nya processer.

Gå till inlägget
Skrivet av dlq84:

När vi kommer under 1nm så måste man börja använda en mindre enhet eller använda decimaler, nu är vi inte riktigt där än men Intel valde att byta innan.

Gå till inlägget

Ja, det borde ju vara 5 nanometer, eller tillika 50 Ångström. Men samtidigt så skulle väl det bli för lätt för oss konsumenter då 😉

Visa signatur

Star citizen - swedish umbrella. En svensk union för er spelare och organisationer som tycker om demokratiska val.
https://robertsspaceindustries.com/orgs/SWEUMB
Discord:
https://discord.com/invite/j5AkGERJz3

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av Nikodemous:

Ja, det borde ju vara 5 nanometer, eller tillika 50 Ångström. Men samtidigt så skulle väl det bli för lätt för oss konsumenter då 😉

Gå till inlägget

Nja, det skulle bara vara mer förvirrande eftersom det inte längre har någonting att göra med verkliga nanometrar eller ångström.

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av Lifooz:

A följt av siffror betyder antalet Ampere, Intels processorer kommer dra under trefas-matning!😏

/L

Gå till inlägget

Nu fattar jag 20A betyder att du måste ha 20A trefas för att kunna använda cpun

Visa signatur

Ryzen 9800X3D @ Stock, MSI Suprim X 3080 @ game mode.
YT kanal där jag meckar bilar: https://www.youtube.com/@saab900turboT16

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av Sir_Manfred:

20 A är alltså 2nm.
18 A är 1,8nm.

Jag tvivlar på att Intel gått från att stampa på 10nm hur länge somhelst till att ha sprungit om AMD som ändå är nere på 4nm.
Det känns mer som att Intel godtyckligt tar en siffra ur luften. Efter att de slutade med Nanometer så går det inte att lita på dem längre. De borde redovisa vad "Intel 7", "Intel 4" och "Intel 3" egentligen representerar i Nanometer.

Gå till inlägget

Nej då det inte har någon relevans. Det är bara ett produktnamn så som RTX 4090, Iphone 15 Pro Max etc,

Skrivet av Joppis:

Mmm... Hade ju varit mer framtidssäkert att bara gå över till nästa enhet. Dvs pico.

Gå till inlägget

Nej då det inte har någon relevans. Det är bara ett produktnamn så som RTX 4090, Iphone 15 Pro Max etc,

Skrivet av dlq84:

jag vet, men ändå sänker de siffran, min poäng kvarstår.

Gå till inlägget

Nej.

Skrivet av Sir_Manfred:

Låter som en bra idé att standardisera till transistorer per kvadratmillimeter istället för mått som inte har något med verkligheten att göra. Eller per kvadratmicrometer om man vill ha mindre siffror. 👍

Gå till inlägget
Skrivet av Erik_T:

Fast det har de ju inte gjort egentligen. Förkortningen för Ångström är 'Å', inte 'A'. 'A' är symbolen för Ampere, dvs strömstyrka.

Gå till inlägget

Amerikaner är inte så bekanta med Å så de använder A för att förkorta Ångström (Angstrom) till A.
Ampere har inget med detta att göra,

Skrivet av Nikodemous:

Ja, det borde ju vara 5 nanometer, eller tillika 50 Ångström. Men samtidigt så skulle väl det bli för lätt för oss konsumenter då 😉

Gå till inlägget

Det är ytterst lite relevant för dig som konsument. Det kan vara av intresse att veta vilken nod en produkt är tillverkad på, men exakt hur stor/liten vilken nm noden har det är i stort sett irrelevant för dig som konsument.

Att jämför olika tillverkningsnoder genom att kolla på vilken nm (nanometer) det är lite som att vi skulle jämföra hur bra människor är genom att mäta längden på våra svansar. Då evolutionen tagit bort vår svansar så går det inte mäta längden på en människosvans utan alla måste då godtyckligt hitta på en längd de tycker låter bra och konkurrenskraftig utan någon koppling till verkligheten.

Att kritisera Intel eller andra kretstillverkare för deras namngivning av noder då de inte motsvara varandra är i dagsläget som att kritisera Nvidia för att de bara säljer 4000 seriens grafikkort när AMD säljer 7000 serien eller tvärtom. Intel 20A, 18A, TSMC N7, N4 etc är bara produktnamn för den nod de tillverkas på. Vi kan inte heller som @Sir_Manfred föreslagit att bara mäta densiteten per kvadratmillimeter då olika noder har olika densitet för olika typer av "kretsbitar". Minnesceller skalar inte lika bra som "beräkningsbitar" i kretsen och då de flesta kretsar utgör en blandning av olika typer av "kretsbitar" så går det inte säga något generellt om noden och dess densitet. Olika noder skiljer sig också åt på en rand andra områden så som pris, yield, kapacitet, frekvenstak, strömförbrukning etc. Så att byta ut Namnet på noden mot en generell transistorer per kvadratmillimeter gör att många andra viktiga faktorer missas. Dessa namn är ju inte heller till för att slutkonsumenten ska basera sina köp beroende på vilken nod en produkt är tillverkad på. En bra nod ger inte en bra produkt, men en dålig nod kan absolut gen en dålig produkt.
Spelar det någon roll för dig om din processor är tillverkad på Intel 18A eller TSMC N3? Gör du inte ditt val baserat på faktorer så som som strömförbrukning, pris, prestanda? Alla dessa faktorer kan åstadkommas med olika noder, det spelar ju ingen roll för dig som konsument exakt hur långt det är mellan transistorerna där inne i alla fall. Det som spelar roll är att du har en bra processor etc.

Visa signatur

Min Dator: AMD 3600 | 24 GB RAM | Asus X570 Prime | Fractal Design Arc R2 | Thermalright Silver Arrow | Dell U2412M | IBM Model M

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av aliassund:

Den här texten är obegriplig, konformade transistorer och bas som krymper?? Strömläckage och frekvens , i den utsträckning det finns en koppling så är det den motsatta till vad Du skriver.

Gå till inlägget

Nu får du nog förklara dig, menar du att transistorn skulle vara konformad åt andra hållet, att basen är mindre än toppen av den?

Eller att strömläckaget skulle vara lägre om man körde helt rektangulära 3D transistorer?

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Inaktiv
●
Skrivet av Dem8n:

Nu får du nog förklara dig, menar du att transistorn skulle vara konformad åt andra hållet, att basen är mindre än toppen av den?

Eller att strömläckaget skulle vara lägre om man körde helt rektangulära 3D transistorer?

Gå till inlägget

Nä, du får förklara dig, dessa koner är även nytt för mig. Är det fenorna (om vi nu förutsätter finfet) eller grinden du syftar på?

edit.
Alltså för att förtydliga, här har den en ritning på en 5nm finfet transistor

Och i verkligheten så är det många av dessa komponenter som är "konformade" (vilket vilket mer eller mindre är oundvikligt), men du säger att man mäter "konen", men "konen" är inget vedertaget begrepp för någon specifik del av en transistor så vitt jag vet. Skulle någon referera till någon del som en kon, hade jag ju gissat på fenan (därav namnet), men fenans bredd har så vitt jag vet alltid vart rätt mycket mindre än nodnamnet.

Sen oavsett, det finns så många parametrar när det kommer till MOSFET-tillverkning som påverkar densiteten som gör mätning av specifika delar rätt irrelevant. Det är bara dumt att basera nodnamnet på det, vilket är också varför det inte heller är fallet. Utan man gör en mängd förändingar som leder till en ökning i densitet, sen så sätter man en lägre siffra och säger att den nya noden har X% högre densitet än föregående nod.

Senast redigerat
Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●

Hur fungerar en cpu? /s
(Egentligen inte sarkasm men vi låtsas som det)

Visa signatur

i7 12700k oc+delid under utveckling | 32gb G.Skill Trident Z RGB 3600mhz cl15 | RX 7800xt
https://valid.x86.fr/uudh64 (gammal, men trevlig, cpu-z validator)

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av anon75480:

Nä, du får förklara dig, dessa koner är även nytt för mig. Är det fenorna (om vi nu förutsätter finfet) eller grinden du syftar på?

edit.
Alltså för att förtydliga, här har den en ritning på en 5nm finfet transistor

https://d3i71xaburhd42.cloudfront.net/04a0a3c43641ab6144be3aa8f08cb9c3dd08fda8/2-Figure1-1.png

Och i verkligheten så är det många av dessa komponenter som är "konformade" (vilket vilket mer eller mindre är oundvikligt), men du säger att man mäter "konen", men "konen" är inget vedertaget begrepp för någon specifik del av en transistor så vitt jag vet. Skulle någon referera till någon del som en kon, hade jag ju gissat på fenan (därav namnet), men fenans bredd har så vitt jag vet alltid vart rätt mycket mindre än nodnamnet.

Sen oavsett, det finns så många parametrar när det kommer till MOSFET-tillverkning som påverkar densiteten som gör mätning av specifika delar rätt irrelevant. Det är bara dumt att basera nodnamnet på det, vilket är också varför det inte heller är fallet. Utan man gör en mängd förändingar som leder till en ökning i densitet, sen så sätter man en lägre siffra och säger att den nya noden har X% högre densitet än föregående nod.

Gå till inlägget

I genomskärning ser fenan ut som en vägkona, därav konformad.
Den avsmalnande toppen gör att strömläckaget blir mindre, och med mindre strömläckage kan man öka på frekvensen och samtidigt sänka strömstyrkan.

Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Inaktiv
●
Skrivet av Dem8n:

I genomskärning ser fenan ut som en vägkona, därav konformad.
Den avsmalnande toppen gör att strömläckaget blir mindre, och med mindre strömläckage kan man öka på frekvensen och samtidigt sänka strömstyrkan.

Gå till inlägget

Om du menar FinFET-fenor så är det väl bra mycket enklare att skriva det då istället, dom är liksom redan döpta efter sin form :), dessutom så används dom inte ens på dessa noder (alltså intels 20A och 18A) då RibbonFET används (en Gate-All-Around teknik). Dessa verkar enligt intel vara 7x12nm förövrigt. Som sagt, dessutom stämmer inte ändå att nodnamnet skulle baseras på storleken av toppen på fenan, på intels 14nm verkar dom ha en fin-width (i toppen) på 8nm.

Senast redigerat
Redigera
Citera flera Citera
Permalänk
Medlem ★
●
Skrivet av Dem8n:

I genomskärning ser fenan ut som en vägkona, därav konformad.
Den avsmalnande toppen gör att strömläckaget blir mindre, och med mindre strömläckage kan man öka på frekvensen och samtidigt sänka strömstyrkan.

Gå till inlägget

Nej, strömläckaget blir mindre eftersom gaten omsluter nästa hela kanalen mellan source och drain. Men ribbon-FET eller sk gate-all-around blir det ännu bättre. Det har inget med avsmalning att göra. Men strömläckaget är bara en viktig parameter för effektförbrukning av transistorer som inte gör något, men ändå läcker ström. Det har ingenting med frekvens att göra.

Redigera
Citera flera Citera
1 2
Skriv svar