Under tisdagen överraskade Samsung genom att meddela att utvecklingen av den första GDDR7-minneskretsen är färdig och utlovar högre bandbredd och lägre strömförbrukning än GDDR6, skriver Tom's Hardware.
Samsungs nya minneskrets är på 16 gigabit och med 32 miljarder överföringar per sekund (GT/s), vilket innebär en bandbredd på 128 gigabyte per sekund, mot 89,6 gigabyte per sekund med GDDR6X (22,4 GT/s). I ett grafikkort med 384-bitars minne innebär det en total bandbredd på 1 536 gigabyte per sekund, 50 procent mer än Geforce RTX 4090 med 1 008 gigabyte per sekund.
För att åstadkomma den 50 procent högre bandbredden använder GDDR7 pulsamplitudmodulering i tre nivåer (PAM3), där varje signal antar ett av tre värden (-1, 0 eller 1) istället för normala två. Det är en mer komplicerad teknik än den vanliga binära tekniken, men har visat sig ha fler för- än nackdelar. PAM3 ska även användas i USB4 V2.
Samsung har inte presenterat speciellt mycket fler detaljer. Företaget utlovar till exempel 20 procent högre effektivitet men specificerar inte hur det mäts. Tom's Hardware räknar med att det är mätt i watt per överförd bit, vilket skulle innebära att varje krets i själva verket drar mer ström än GDDR6-kretsar (50 procent högre bandbredd med 80 procent total förbrukning blir 20 procent mer).
Som tecken på det säger Samsung att företaget har tagit fram en ny epoxymassa med högre värmeledningsförmåga för paketeringen av kretsen, vilket gör det tydligt att det alstrar mer värme än dagens minneskretsar.
