Det samägda bolaget Intel-Micron Flash Technologies är på väg att gå över till 25 nanometers tillverkningsteknik och med det följer en ny generation SSD-enheter med förbättrade egenskaper.
Intel X25-M G2 (34nm) | Intel X25-M G3 (25nm) | |
|---|---|---|
Kodnamn | Postville | Postville Refresh |
Kapaciteter | 80/160 GB | 80/160/300/600 GB |
Minnestyp | IMFT 34 nm MLC | IMFT 25 nm MLC |
Läs/skrivhastighet (sekventiell) | Upp till 250/100 MB/s | Upp till 250/170 MB/s |
Läs/skrivhastighet 4K (slump) | Upp till 35/8,6 K IOPS | Upp till 50/40 K IOPS |
Strömförbrukning | 3,0/0,06 W | 6,0/0,075 W |
Skrivningar 4K (livslängd) | 7,5–15 TB | 30–60 TB |
Avbrottssäkert buffertminne | Nej | Ja |
Formfaktor | 1,8" & 2,5" | 1,8" & 2,5" |
Säkerhet | ATA Password | ATA Password, AES-128 |
Hårdvarusajten Anandtech publicerar specifikationerna för X25-M G3, den tredje generationen SSD från Intel för mellanklassen. Halvledarjätten planerar att släppa fyra varianter med kapaciteter mellan 80 och 600 GB, samtliga baserade på 25 nanometerskretsar av typen Multi Level Cell (MLC) NAND Flash.
Bland förändringarna märks främst högre överföringshastigheter än tidigare. Intel X25-M G3 klarar sekventiella skrivningar upp till 170 MB/s och 50 000 IOPS vid slumpmässiga läsningar i storleken 4 KB. Dessutom passar Intel på att fördubbla livslängden för minnescellerna och införa 128-bitars AES-kryptering även för konsumentmodellerna.
Alla nyheter är dock inte av godo. Strömförbrukningen är dubbelt upp från den äldre generationen. Den som planerar att uppgradera en bärbar dator med Intels senaste SSD kan således få se batteritiden sjunka ett snäpp.
Det mesta pekar på att Intel påbörjar introduktionen av de nya SSD-enheterna i början av 2011 och att fler modeller lanseras en bit in på det nya året. Några prisuppgifter är dock ännu inte kända.
Källa: Anandtech.
