Intel välkomnar ångström och stryker nanometer när nytt namnschema sjösätts

Helt klart! Mitt nästa köp blir Intel om de har smurfometer-tillverkning!

Är angest är en blandning av anger och ångest? I sådant fall: ja.

Jag är redan numerically challenged, blir kul det här

Jag har förstahandserfarenhet av detta för en finFET process, man ritar gate längd, inte pitch, som ligger i närheten av nodnamnet. Hur det förhåller sig i verkligheten är en annan fråga. derbauer gjorde ju lite intressanta experiment men inte säker på att han mätte på rätt plats.

Jag kommer störa ("stora") mig abnormt på detta. Kommer nog att hålla mig till ÅMD-CPU..
Datorer, även utländska har stöd för bokstaven Å. Man behöver inte ställa om windows till svenskt tangentbord för att få fram ett Å.

Undrar hur intel ska klara 20Å? De har ju jätteproblem att tillverka 10nm?
ÅMD har tillverkat 7nm rätt länge nu..

Varför anger man "ofaktiska" mått då? Marknadsföringsploj?
Påminner lite om när Gillette, Bic och Schick krigade med antal rakblad på hyvlarna.. "Mach 3", och den där oanvändbara fembladiga varianten jag tappat namnet på..

Antal transistorer per kvadratmillimeter skulle vara ett mått jag skulle göra tummen upp för.

Detta var sant förut men stämmer inte längre, måtten på transistorerna är sällan relaterade till namnet på processen utan är oftast större i verkligheten.

Processnoden ger istället ett indirekt mått på ökad transistordensitet. Att gå från t.ex. 10 till 7 ”nm” från en och samma tillverkare indikerar en areaminskning på 50% (7^2/10^2 ≈ 0.5). Detta ger då dubbelt så många transistorer per areaenhet. Just dubbleringen av transistordensitet kommer troligen från att tillverkare siktar på att följa Moore’s lag i varje inkrement.

Ja, onödigt rörigt...

Men det känns väl inte som att det lär vara sådan jätterisk för förvirring i praktiken?
Om inte annat just för att detta inte är något mått vars värde går att diskutera sådär värst i sig, mer ett namn på tillverkningsnoden för då t.ex. CPU.

Jag ser inte pa det som ett problem med forvaxling. Min hjarna kommer alltid saga Ampere när jag ser ett A, aven om jag vet att det syftar pa en langdenhet. A är redan reserverat till nagot annat liksom!

Bara för att dom inte har Å på sina tangentbord antar jag? Korkat ändå att byta ut Å med A tycker jag.

Jag är inte övertygad om att det finns en poäng att ens se det som mer än ett namn "20A" utan någon betydelse (i motsats till ett mått).
Vi får väl helt enkelt se... Den befintliga nanometer-baserade namngivningen verkade ju helt släppa kopplingen till längdenheten, så vet inte om det är värt att ens blanda in Ångström.

Visserligen. Men det känns ändå galet. Ampere är en SI-enhet med en officiell förkortning. Sen tar de Ångström, som inte är en SI-enhet och använder inte ens den vedertagna symbolen.

Än märkligare blir det ju att de tar bort Röckdöts, det enda som faktiskt skulle göra det lite coolt. Men ja ja jag är inte utbildad i marknadsföring så vad vet jag. Det kanske blir hrs bara de kommer igång med benämningen

Vem är den här Ängström vi snackar om?

Lägg märke till att de inte har någon enhet alls på de tidigare siffrorna, och byter till ett annat upplägg hellre än att använda decimaler.

Det här är beteckningar av marknadsföringsfolk för marknadsföringsfolk.

Som jag var inne på är jag inte övertygad om att det finns någon poäng att blanda in mått eller ångström i den här namngivningen.

Jag vet att de förklarat namnet så, men kommer det öht finnas någon faktisk koppling till ett mått? Det är väl högst oklart, och om det inte gör det så kan det ju Intels tillverkningsnod få heta "20A" bara utan att man ens behöver bry sig om att det skulle kunna betyda något.

Glöm inte den internationella enheten för längd, en Golden Gate Bridget. Eller enheten för area, en Texas.

I grund och botten är det som karaktäriserar de nya noderna inte endimensionellt, dvs man kan inte värdera deras prestanda med ett siffervärde. Det som det gamla måttet faktiskt mätte var en viktig grundparameter när det begav sig och en rimlig utgångspunkt, men bilden är komplexare idag.

Också min egen favorit single-figure-of-merit i sammanhanget, transistordensitet, är helt beroende av vilka kretsar man försöker bygga och vilken prestanda de skall ha. (För att inte tala om att det inte går att objektivt mäta av tredje part för komplexa kretsar).

Om man är tekniskt intresserad måste man helt enkelt djupare ner i det tekniska materialet än pressreleaser, och helst jämföra faktiska implementationer, som Andrei Frumusanu på Anandtech gör här mellan TSMC 7nm och Samsung 5nm.

Och då skall vi inte tala om att packningsteknik kommer att spela en växande roll. Så man måste antingen fördjupa sig mer, eller helt enkelt strunta i det och bara jämföra de faktiska produkter som kommer ut i slutändan.

Fast Ångström är ju bara en annan måttenhet, 1 Ångström är 0,1nm. Så den invändningen förstår jag inte.

Transistorer/area hade vara ett bättre mått.

Min erfarenhet kan såklart vara en tillfällighet, och som sagt det är vad man "ritar". Problemet är att det finns många med påstådd kunskap här men de som verkligen vet, dvs kiselkokarna, säger inget själv vilket lämnar fältet öppet. I 22nm FinFET som blir 26nm skulle jag säga är inom rimlighetsgränsen och i linje med min erfarenhet för en mer extrem process. Men att 7nm blir 10nm låter mycket.

Mitt argument var en invändning huruvida SI-enheter var lönt att bry sig om eller inte. Inte att ångström skulle vara bättre

Intels mellansteg utan någon måttenhet är ok med "Intel 7", "Intel 4" osv. Problemet är att marknad sannolikt inte gillar "Intel 0.9" efter man hamnar på 1, sannolikt därför de började om på 20A.

Jag är helt inne på ditt spår, och det stämmer med iaf allt jag har läst om noder sen ~28nm. Och det finns ju mer exempel från wikichips, t ex Samsungs 14nm noder har en 30nm Lg, och det finns troligen även en anledning varför halvledartillverkarna har slutat rapportera detta mått helt och hållet.

Fast dom brukar ju faktiskt gå ut med relativ förbättring i transistordensitet och strömförminskning/prestandaökning mot föregående nod, och rent krasst är det ju just detta som är av intresse (eller ja beror väl på hur mycket man vill nörda ), ett specifikt mått i en transistor säger ju faktiskt väldigt lite.

Bra att dom skippar "nm" i produktnamnet för noderna, mindre bra att dom byter till ännu en längdenhet som högst troligt inte kommer beskriva längden av något (!?)

Jo, och det ger ju i alla fall någon slags mellan tummen och pekfingret uppskattning. Men problemet är att vad man faktiskt får ut beror extremt mycket på vad man bygger, och när förändringarna är i storleksordningen 15% så dominerar andra faktorer.
Betrakta t.ex. AMD:s GPU:er på 7nm.
Vega 20 hade en max klocka på ca 1700MHz, Navi 10 ca 1900MHz, Navi 20 ca 2250MHz
dvs en ökning på över 30% på samma process.
Transistordensitet (AMD:s uppgifter):
Vega 20 hade 40Mtr/mm2, Navi 10 41Mtr/mm2, och Navi 21 55Mtr/mm2
där det var förutsägbart att transistordensiteten skulle öka pga 128MB Infinity cache (utöver all annan SRAM på GPU:n).

Så det kan variera ganska mycket på samma process från samma designers och samma produktkategori.
Men så fort vi ändrar något av det, säg tittar på Apple A13, så har vi plötsligt en transistordensitet på 86Mtr/mm2 (!).

Generaliserar vi grovt så vinner högprestandachippen mindre på de nya noderna än lågeffektsprodukterna, vilket är en av anledningarna att effektförbrukningen har dragit iväg på desktopprodukter. GPUerna tjänar fortfarande på densitetsförbättringarna (fast inte i samma grad som mobilchippen) men effektförbrukningen minskar inte i samma takt som densiteten ökar, så för att få meningsfulla prestandaförbättringar drar effekten iväg också där.

Och vad de framtida noderna ger är fortfarande höljt i dunkel.
TSMC har t.ex. inte sagt ett ljud om vad deras 2nm kommer att ge trots att den är tänkt att tas i volymproduktion inom tre år!
Vad (och när…) Intel faktiskt kommer att leverera under sina nya beteckningar, vete ju också tusan annat än att 20A skall vara en variant av GAA. Men hur kommer den processen att prestera? Knäpptyst.

Ser fram emot Intels 0,4BS (Bead-second).