Sett till lagring har teknikbranschen på senare år i allt större utsträckning skiftat fokus från mekaniska hårddiskar till NAND Flash-baserad SSD-lagring. En utmaning med NAND-baserad lagring är, utöver högre kostnad, att lagringsutrymme är begränsat ställt mot dess mekaniska alternativ. En lösning på detta är packa fler bitar data i varje minnescell, via tekniker som QLC. Ett annat är att bygga på fler lager av celler i en minneskrets – kallat 3D NAND.
Nu tillkännager minnesjätten Micron nya 3D NAND-minneskretsar med hela 176 lager. Bolaget väljer att illustrera framsteget genom att jämföra befintliga NAND-lösingar om 64 lager med hjälp av höghus. Där befintlig teknik liknas vid Eiffertornet i Paris med höjd om 300 meter representeras Microns lösning med 176 lager av Burj Khalifa i Dubai med höjd om 828 meter.
Micron delar dock även med sig av mer konkreta jämförelser, där den nya femte generationens 3D NAND bjuder på 30 procent mindre kretsyta ställt mot Microns nuvarande kretsar med 96 lager. Reducerad storlek innebär möjlighet till kostnadsbesparingar, hos tillverkaren och potentiellt hos slutkonsument. Vidare jämförelser anger också förbättringar i prestanda, där latenser vid läsning och skrivning till minnet ska ha reducerats med 35 procent.
Förbättringarna sträcker sig också till rena överföringshastigheter, som enligt företaget stiger med 33 procent ställt mot dess 96-lagersteknik. Möjligheten att paketera så många lager på liten yta kommer från att Micron här tillämpar andra generationens transistorteknik vid namn Replacement Gate (RG), som enligt företaget minskar problem med effektivitet vid tätpaketerade kretsar.
NAND-kretsar med RG-transistorer ska också vara mer hållbara och erbjuda bättre prestanda än traditionella Floating Gate (FG)-transistorer. Microns uppgifter anger dubbelt så höga hastigheter för läs-, skriv- och radering ställt mot nuvarande 3D NAND, vilket troligtvis avser tredje generationen Micron-kretsar då generation fyra inte tillämpas i någon bredare utsträckning på marknaden.
Micron meddelar att leveranser av 3D NAND-kretsar med 176 lager inletts till kunder och att produkter med tekniken når marknaden under år 2021.
